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HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF

AzioniMondoTecnologia
Piano di risparmio
FisicaIndice di riferimento
AccumulazioneUtilizzo dei redditi
0,35 %TER
95,44 Mio € Dimensione del fondo
80Numero di posizioni
0,66 % TD
59,61 %Percentuale Top 10
USDValuta
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Diversificazione

Qui trovi il numero di valori inclusi e la composizione degli indici dell'HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Valori inclusi95
Posizioni azionarie80
Posizioni obbligazionarie0
Posizioni in contanti e altre15
% del patrimonio nelle prime 10 posizioni59,61 %

Capitalizzazione di mercato

Qui puoi vedere la suddivisione percentuale del HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF per capitalizzazione di mercato. La capitalizzazione di mercato riflette il valore di mercato attuale di un'azienda quotata in borsa.

Molto grande42,84 %
Grande46,84 %
Medio6,99 %
Piccolo3,16 %
Micro0,18 %

Indicatori del portafoglio

Queste sono le previsioni per gli indicatori del portafoglio, nonché i tassi di valore e crescita del HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Indicatori del portafoglio (previsione)
Rapporto prezzo/utile (P/E)
19,92
Rapporto prezzo/libro (P/B)
3,89
Rendimento dei dividendi
1,23 %
Rapporto prezzo/flusso di cassa
16,94
Rapporto prezzo/fatturato
4,92
Tassi di valore e crescita (previsione)
Crescita del valore contabile
11,60 %
Crescita del flusso di cassa
-11,74 %
Crescita storica degli utili
-1,40 %
Crescita degli utili a lungo termine
16,12 %
Crescita delle vendite
2,52 %

Stile di investimento azionario

La casella di stile di investimento extraETF è uno strumento estremamente utile per la costruzione del portafoglio. La casella classifica il HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF lungo l'asse verticale in base alla capitalizzazione di mercato e lungo l'asse orizzontale in base alle caratteristiche di sostanza e crescita.

18,69 % 21,71 % 49,26 % 1,88 % 2,17 % 2,93 % 0,54 % 1,27 % 1,53 %
Groß
89,67 %
Mittel
6,99 %
Klein
3,34 %
Capitalizzazione di mercato
Value
21,11 %
Blend
25,15 %
Growth
53,73 %
Stile azionario
La maggior parte del portafoglio è costituita da azioni 49,26 % con una capitalizzazione di mercato großen.

Indicatori di rischio

Qui trovi importanti indicatori di rischio per HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilità
24,19 %
Max. Drawdown
-11,63 %
Sharpe Ratio
1,54
Treynor Ratio
64,50 %
Information Ratio
0,72 %
Correlazione rispetto all'indice di riferimento
59,02 %
Capture Ratio in salita
133,63
Capture Ratio in discesa
102,64
Batting Average
50,00 %
Alpha
19,48 %
Beta
1,22
R2
34,83 %
Indice di riferimento
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
Posizione
31 ott 2024

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