HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
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HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF Prezzo degli ETF
Confronto dei piani di risparmio ETF
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Dati di base
Dati di base importanti per HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
| Rapporto totale spese (TER) | 0,35 % |
| Rappresentazione dell'indice | Fisica |
| Stile di rappresentazione | Replica Completa |
| Utilizzo del reddito | Accumulazione |
| Dimensione del fondo | 32,04 Mio € |
| Data di emissione del fondo | 25 gen 2022 |
| Valuta del fondo | USD |
| Copertura valutaria | No |
| Domicilio del fondo | Irland |
| Classificazione SFDR | Nessuna informazione |
Informazioni su NASDAQ Global Semiconductor NR USD
| Nome dell'indice | NASDAQ Global Semiconductor NR USD (1) |
| Valori inclusi | 97 |
| Posizioni azionarie | 80 |
| Posizioni obbligazionarie | 0 |
| Posizioni in contanti e altre posizioni | 17 |
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| Nome del fondo | Codice WKN | TER |
|---|---|---|
| Nessun risultato |
Performance
Qui puoi vedere la performance (inclusa la distribuzione) di HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.
| Periodo | Performance |
|---|---|
| 1 settimana | -0,71 % |
| 1 mese | -5,80 % |
| 3 mesi | +5,58 % |
| 6 mesi | +42,14 % |
| 1 anno | +64,86 % |
| 3 anni | — |
| 5 anni | — |
| 10 anni | — |
| Dall'emissione | +47,40 %(18,84 % p.a.) |
| Anno | Performance |
|---|---|
| Anno corrente | +15,34 % |
| 2023 | +62,72 % |
| 2022 | -24,12 % |
| 2021 | — |
| 2020 | — |
| 2019 | — |
Indicatori di rischio
Indicatori chiave di rischio e analisi per HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
Volatilità | 29,17 % 1 anno — 3 anni — 5 anni |
Massimo drawdown | -15,04 % 1 anno — 3 anni — 5 anni |
Sharpe Ratio | 1,52 1 anno — 3 anni — 5 anni |
XLM | — |
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