HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
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Confronto dei piani di risparmio ETF
L'ETF HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF è adatto a un totale di 3 broker online per i piani di risparmio. Di questi, l'ETF è attualmente disponibile gratuitamente nel piano di risparmio presso 2 provider. L'importo minimo di risparmio è di 1,00 €.L'
Rendimento
Qui puoi vedere la performance (inclusa la distribuzione) di HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.
| Periodo | Performance |
|---|---|
| 1 settimana | -2,50 % |
| 1 mese | -13,78 % |
| 3 mesi | -26,73 % |
| 6 mesi | -24,55 % |
| 1 anno | -22,25 % |
| 3 anni | +27,71 %(8,50 % p.a.) |
| 5 anni | — |
| 10 anni | — |
| Dall'emissione | +21,38 %(6,23 % p.a.) |
| Anno | Performance |
|---|---|
| Anno in corso | -24,12 % |
| 2024 | +25,18 % |
| 2023 | +62,72 % |
| 2022 | -24,12 % |
| 2021 | — |
| 2020 | — |
Dati di base
Dati di base importanti per HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
| Rapporto totale spese (TER) | 0,35 % |
| Rappresentazione dell'indice | Fisica |
| Stile di rappresentazione | Replica Completa |
| Utilizzo del reddito | Accumulazione |
| Dimensione del fondo | 78,45 Mio € |
| Data di emissione del fondo | 25 gen 2022 |
| Valuta del fondo | USD |
| Copertura valutaria | No |
| Domicilio del fondo | Irland |
| Classificazione SFDR | Nessuna informazione |
Indicatori di rischio
Indicatori chiave di rischio e analisi per HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
Volatilità | 21,60 % 1 anno 31,39 % 3 anni — 5 anni |
Massimo drawdown | -21,80 % 1 anno -35,36 % 3 anni — 5 anni |
Sharpe Ratio | -0,92 1 anno 0,28 3 anni — 5 anni |
XLM | — |
Informazioni su NASDAQ Global Semiconductor NR USD indice
| Nome dell'indice | NASDAQ Global Semiconductor NR USD (1) |
| Valori inclusi | 96 |
| Posizioni azionarie | 79 |
| Posizioni obbligazionarie | 0 |
| Posizioni in contanti e altre posizioni | 17 |
Altri ETF su NASDAQ Global Semiconductor NR USD indice
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| Nome del fondo | Codice WKN | TER |
|---|---|---|
| Nessun risultato |
Domande frequenti
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