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HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF

ActionsMondeTechnologie
Plan d'investissement
PhysiqueReproduction de l'indice
CapitalisanteDistribution des revenus
0,35 %TER
94,40 M € Taille du fonds
80Nombre de positions
0,66 % TD
59,29 %Top 10 en %
USDDevise
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Diversification

Vous trouverez ici le nombre de valeurs composants l'indice HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Valeurs contenues95
Positions en actions80
Positions obligataires0
Trésorerie et autres positions15
% du patrimoine dans les 10 premières positions59,29 %

Capitalisation boursière

Ici, vous pouvez voir la répartition en pourcentage du HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF selon la capitalisation boursière. La capitalisation boursière reflète la valeur boursière actuelle d'une entreprise cotée en bourse.

Très forte42,82 %
Forte46,66 %
Moyenne7,05 %
Faible3,28 %
Micro0,18 %

Indicateurs de portefeuille

Ceci représente les prévisions pour les indicateurs de portefeuille ainsi que les taux de valeur et de croissance de HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Indicateurs de portefeuille (prévision)
Ratio cours/bénéfice (PER)
20,00
Ratio cours/valeur comptable (P/B)
3,92
Rendement des dividendes
1,21 %
Rapport prix/flux de trésorerie
16,99
Ratio cours/chiffre d'affaires (P/S)
4,94
Taux de valeur et de croissance (prévision)
Croissance de la valeur comptable
11,60 %
Croissance du flux de trésorerie
-11,74 %
Croissance historique des bénéfices
-1,40 %
Croissance estimée à long terme des bénéfices
16,12 %
Croissance du chiffre d'affaires
2,52 %

Style de gestion des actions

La "Boîte de style de placement extraETF" est un outil extrêmement utile pour la construction de portefeuille. La boîte classe le HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF le long de l'axe vertical selon la capitalisation boursière, et le long de l'axe horizontal selon les caractéristiques de substance et de croissance.

18,48 % 21,81 % 49,19 % 1,89 % 2,20 % 2,96 % 0,55 % 1,30 % 1,62 %
Groß
89,48 %
Mittel
7,05 %
Klein
3,47 %
Capitalisation boursière
Value
20,93 %
Blend
25,31 %
Growth
53,76 %
Type d'actions
Avec 49,19 %, les actions Growth avec une capitalisation boursière großen constituent la plus grande part du portefeuille.

Indicateurs de risque

Vous trouverez ici des indicateurs de risque importants concernant HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilité
24,19 %
Drawdown max.
-11,63 %
Sharpe Ratio
1,54
Treynor Ratio
64,50 %
Ratio d'information
0,72 %
Corrélation avec l'indice de référence
59,02 %
Capture Ratio Up
133,63
Capture Ratio Down
102,64
Batting Average
50,00 %
Alpha
19,48 %
Beta
1,22
R2
34,83 %
Benchmark
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
À la date du
31 oct. 2024

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