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Pays

HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
Actions Monde Technologie
Plan d'investissement
PhysiqueReproduction de l'indice
CapitalisanteDistribution des revenus
0,35 %TER
201,17 M € Taille du fonds
80Nombre de positions
0,52 % TD
61,42 %Top 10 en %
USDDevise
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Diversification

Vous trouverez ici le nombre de valeurs composants l'indice HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Valeurs contenues97
Positions en actions80
Positions obligataires0
Trésorerie et autres positions17
% du patrimoine dans les 10 premières positions61,42 %

Capitalisation boursière

Ici, vous pouvez voir la répartition en pourcentage du HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF selon la capitalisation boursière. La capitalisation boursière reflète la valeur boursière actuelle d'une entreprise cotée en bourse.

Très forte61,45 %
Forte29,99 %
Moyenne6,91 %
Faible1,60 %
Micro0,04 %

Indicateurs de portefeuille

Ceci représente les prévisions pour les indicateurs de portefeuille ainsi que les taux de valeur et de croissance de HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Indicateurs de portefeuille (prévision)
Ratio cours/bénéfice (PER)
16,50
Ratio cours/valeur comptable (P/B)
7,03
Rendement des dividendes
0,67 %
Rapport prix/flux de trésorerie
12,97
Ratio cours/chiffre d'affaires (P/S)
7,20
Taux de valeur et de croissance (prévision)
Croissance de la valeur comptable
9,13 %
Croissance du flux de trésorerie
20,26 %
Croissance historique des bénéfices
15,62 %
Croissance estimée à long terme des bénéfices
41,24 %
Croissance du chiffre d'affaires
9,93 %

Style de gestion des actions

La "Boîte de style de placement extraETF" est un outil extrêmement utile pour la construction de portefeuille. La boîte classe le HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF le long de l'axe vertical selon la capitalisation boursière, et le long de l'axe horizontal selon les caractéristiques de substance et de croissance.

2,48 % 27,49 % 61,47 % 0,10 % 0,91 % 5,90 % 0,25 % 0,08 % 1,32 %
Forte
91,44 %
Moyen
6,91 %
Faible
1,64 %
Capitalisation boursière
Value
2,83 %
Blend
28,48 %
Growth
68,69 %
Type d'actions
Avec 61,47 %, les actions Growth avec une capitalisation boursière grandes constituent la plus grande part du portefeuille.

Indicateurs de risque

Vous trouverez ici des indicateurs de risque importants concernant HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilité
53,81 %
Drawdown max.
-20,13 %
Sharpe Ratio
1,74
Treynor Ratio
123,35 %
Ratio d'information
0,23 %
Corrélation avec l'indice de référence
99,86 %
Capture Ratio Up
102,40
Capture Ratio Down
105,90
Batting Average
58,33 %
Alpha
-2,44 %
Beta
1,04
R2
99,72 %
Benchmark
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
À la date du
31 août 2026

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