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País

HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF

AccionesMundoTecnología
Plan de ahorro
FísicaFigura del índice
AcumulaciónUso de los ingresos
0,35 %TER
95,44 M€ Tamaño del fondo
80Número de posiciones
0,66 % TD
59,61 %Porcentaje del top 10
USDMoneda
Este ETF tiene únicamente una autorización de distribución para Alemania, Reino Unido, Italia, Francia, Irlanda.
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Diversificación

Aquí encontrarás el número de valores incluidos y la composición de los componentes del índice del HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Valores incluidos95
Posiciones de acciones80
Posiciones de bonos0
Posiciones de efectivo y otros15
% del patrimonio en las 10 principales posiciones59,61 %

Capitalización de mercado

Aquí verás la distribución porcentual del HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF según la capitalización de mercado. La capitalización de mercado refleja el valor actual de mercado de una empresa cotizada.

Muy grande42,84 %
Grande46,84 %
Mediano6,99 %
Pequeño3,16 %
Micro0,18 %

Indicadores de cartera

Estas son las proyecciones de los indicadores de cartera, así como las tasas de valor y crecimiento del HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Indicadores de cartera (proyección)
Relación precio-beneficio (PER)
19,92
Relación precio-valor contable (P/B)
3,89
Rendimiento por dividendo
1,23 %
Relación precio-flujo de efectivo (P/CF)
16,94
Relación precio-ventas (P/S)
4,92
Tasas de valor y crecimiento (proyección)
Crecimiento del valor contable
11,60 %
Crecimiento del flujo de efectivo
-11,74 %
Crecimiento histórico de los beneficios
-1,40 %
Crecimiento estimado a largo plazo de los beneficios
16,12 %
Crecimiento de las ventas
2,52 %

Estilo de inversión en acciones

La caja de estilo de inversión en acciones de extraETF es una herramienta muy útil para la construcción de carteras. La caja clasifica el HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF a lo largo del eje vertical según la capitalización de mercado y a lo largo del eje horizontal según las características de sustancia y crecimiento.

18,69 % 21,71 % 49,26 % 1,88 % 2,17 % 2,93 % 0,54 % 1,27 % 1,53 %
Groß
89,67 %
Mittel
6,99 %
Klein
3,34 %
Capitalización de mercado
Value
21,11 %
Blend
25,15 %
Growth
53,73 %
Estilo de acciones
Con 49,26 %, las acciones Growth con una capitalización de mercado de großen forman la mayor parte de la cartera.

Indicadores de riesgo

Aquí encontrarás importantes indicadores de riesgo para el HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilidad
24,19 %
Máximo retroceso
-11,63 %
Ratio de Sharpe
1,54
Ratio de Treynor
64,50 %
Ratio de información
0,72 %
Correlación con el índice de referencia
59,02 %
Ratio de captura al alza
133,63
Ratio de captura a la baja
102,64
Promedio de aciertos
50,00 %
Alfa
19,48 %
Beta
1,22
R2
34,83 %
Índice de referencia
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
Stand
31 oct 2024

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