HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF

AktienWeltTechnologie
PhysischIndexabbildung
ThesaurierendErtragsverwendung
0,35 %TER
32,94 Mio. € Fondsgröße
80Anzahl Positionen
0,66 % TD
60,09 %Anteil Top 10
USDWährung
Dieser ETF hat nur eine Vertriebszulassung für Irland, Deutschland, Italien, Frankreich, Vereinigtes Königreich.

Portfolio- und Risikokennzahlen, Anlagestil, Marktkapitalisierung

Diversifikation

Hier findest du die Anzahl der enthaltenen Werte und die Zusammensetzung der Indexbestandteile des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Enthaltene Werte96
Aktienpositionen80
Anleihenpositionen0
Cash und sonstige Positionen16
% des Vermögens in Top 10 Positionen60,09 %

Marktkapitalisierung

Hier siehst du die prozentuale Aufteilung des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF nach Marktkapitalisierung. Die Marktkapitalisierung spiegelt den aktuellen Börsenwert eines börsennotierten Unternehmens wider.

Sehr Groß42,05 %
Groß47,92 %
Mittelgroß7,18 %
Klein2,85 %
Micro

Portfoliokennzahlen

Das sind die Prognosen für die Portfoliokennzahlen sowie Wert- und Wachstumsraten des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Portfoliokennzahlen (Prognose)
Kurs-Gewinn-Verhältnis (KGV)
26,17
Kurs-Buchwert-Verhältnis (KBV)
4,38
Dividendenrendite
1,50 %
Kurs/Cashflow-Verhältnis
21,09
Kurs/Umsatz-Verhältnis
5,67
Wert- und Wachstumsraten (Prognose)
Buchwertwachstum
11,85 %
Cash-Flow-Wachstum
-10,55 %
Hist. Gewinnwachstum
7,95 %
Langfr. geschätztes Gewinn­wachstum
14,00 %
Umsatzwachstum
3,60 %

Aktien-Anlagestil

Die extraETF Anlagestil Box ist ein höchst nützliches Instrument für die Portfoliokonstruktion. Die Box klassifiziert den HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF entlang der vertikalen Achse nach der Marktkapitalisierung und entlang der horizontalen Achse nach Substanz- und Wachstumsmerkmalen.

3,91 % 34,38 % 51,81 % 0,43 % 4,04 % 2,57 % 0,35 % 1,19 % 1,32 %
Groß
90,10 %
Mittel
7,05 %
Klein
2,86 %
Marktkapitalisierung
Value
4,70 %
Blend
39,61 %
Growth
55,70 %
Aktienstil
Mit 51,81 % bilden Growth-Aktien mit einer großen Marktkapitalisierung den größten Portfolio-Anteil.

Risikokennzahlen

Hier findest du wichtige Risikokennzahlen zum HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilität
27,58 %
Max. Drawdown
-15,04 %
Sharpe Ratio
1,59
Treynor Ratio
67,25 %
Information Ratio
0,33 %
Korrelation zu Benchmark
96,01 %
Capture Ratio Up
91,25
Capture Ratio Down
67,02
Batting Average
58,33 %
Alpha
7,62 %
Beta
0,86
R2
92,17 %
Benchmark
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
Stand
30.04.2024

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