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HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF

AktienWeltTechnologie
Sparplan
PhysischIndexabbildung
ThesaurierendErtragsverwendung
0,35 %TER
95,44 Mio. € Fondsgröße
80Anzahl Positionen
0,66 % TD
59,61 %Anteil Top 10
USDWährung
Dieser ETF hat nur eine Vertriebszulassung für Deutschland, Vereinigtes Königreich, Italien, Frankreich, Irland.
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Diversifikation

Hier findest du die Anzahl der enthaltenen Werte und die Zusammensetzung der Indexbestandteile des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Enthaltene Werte95
Aktienpositionen80
Anleihenpositionen0
Cash und sonstige Positionen15
% des Vermögens in Top 10 Positionen59,61 %

Marktkapitalisierung

Hier siehst du die prozentuale Aufteilung des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF nach Marktkapitalisierung. Die Marktkapitalisierung spiegelt den aktuellen Börsenwert eines börsennotierten Unternehmens wider.

Sehr Groß42,84 %
Groß46,84 %
Mittelgroß6,99 %
Klein3,16 %
Micro0,18 %

Portfoliokennzahlen

Das sind die Prognosen für die Portfoliokennzahlen sowie Wert- und Wachstumsraten des HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Portfoliokennzahlen (Prognose)
Kurs-Gewinn-Verhältnis (KGV)
19,92
Kurs-Buchwert-Verhältnis (KBV)
3,89
Dividendenrendite
1,23 %
Kurs/Cashflow-Verhältnis
16,94
Kurs/Umsatz-Verhältnis
4,92
Wert- und Wachstumsraten (Prognose)
Buchwertwachstum
11,60 %
Cash-Flow-Wachstum
-11,74 %
Hist. Gewinnwachstum
-1,40 %
Langfr. geschätztes Gewinn­wachstum
16,12 %
Umsatzwachstum
2,52 %

Aktien-Anlagestil

Die extraETF Anlagestil Box ist ein höchst nützliches Instrument für die Portfoliokonstruktion. Die Box klassifiziert den HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF entlang der vertikalen Achse nach der Marktkapitalisierung und entlang der horizontalen Achse nach Substanz- und Wachstumsmerkmalen.

18,69 % 21,71 % 49,26 % 1,88 % 2,17 % 2,93 % 0,54 % 1,27 % 1,53 %
Groß
89,67 %
Mittel
6,99 %
Klein
3,34 %
Marktkapitalisierung
Value
21,11 %
Blend
25,15 %
Growth
53,73 %
Aktienstil
Mit 49,26 % bilden Growth-Aktien mit einer großen Marktkapitalisierung den größten Portfolio-Anteil.

Risikokennzahlen

Hier findest du wichtige Risikokennzahlen zum HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF.

Volatilität
24,19 %
Max. Drawdown
-11,63 %
Sharpe Ratio
1,54
Treynor Ratio
64,50 %
Information Ratio
0,72 %
Korrelation zu Benchmark
59,02 %
Capture Ratio Up
133,63
Capture Ratio Down
102,64
Batting Average
50,00 %
Alpha
19,48 %
Beta
1,22
R2
34,83 %
Benchmark
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
Stand
31.10.2024

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